Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD INFINEON TECHNOLOGIES
Produkta nr.: IPD80R900P7
Preces attēliem ir ilustratīva nozīme. Precīzas preces specifikācijas, lūdzam, skatīt aprakstā.
Piegādes termiņi
Jaunums! Saņemiet preces veikala pasta nodaļā – Krasta 105, Rīga
Jaunums! Saņemiet preces veikala pasta nodaļā – Krasta 105, Rīga Bezmaksas
Lūdzu, saņemiet savu preču sūtījumu, kad saņemsiet SMS. Pasūtījumi tiek glabāti LEMONA electronics pasta automātos 5 dienas.
Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.
Vairāk par 50,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 50,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD INFINEON TECHNOLOGIES
Noderīga informācija
Specifikācijas
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
Product code
IPD80R900P7
Brand
INFINEON
Supplier's product code
IPD80R900P7
Product ID
U-216908
Case
PG-TO252-3
Drain current
3.9A
Drain-source voltage
800V
Gate charge
15nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhancement
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
SMD
On-state resistance
0.9Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
45W
Technology
CoolMOS™ P7
Type of transistor
N-MOSFET
Version
ESD
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].