Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD INFINEON TECHNOLOGIES
Produkta nr.: IPN80R1K4P7
Preces attēliem ir ilustratīva nozīme. Precīzas preces specifikācijas, lūdzam, skatīt aprakstā.
Piegādes termiņi
2026-09-24 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Jaunums! Saņemiet preces veikala pasta nodaļā – Krasta 105, Rīga
Jaunums! Saņemiet preces veikala pasta nodaļā – Krasta 105, Rīga Bezmaksas
Lūdzu, saņemiet savu preču sūtījumu, kad saņemsiet SMS. Pasūtījumi tiek glabāti LEMONA electronics pasta automātos 5 dienas.
Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.
Vairāk par 50,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 50,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD INFINEON TECHNOLOGIES
Noderīga informācija
Specifikācijas
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
Product code
IPN80R1K4P7
Brand
INFINEON
Supplier's product code
IPN80R1K4P7
Product ID
U-217023
Case
PG-SOT223
Drain current
2.7A
Drain-source voltage
800V
Gate charge
10nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
reel
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
SMD
On-state resistance
1.4Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
7W
Technology
CoolMOS™ P7
Type of transistor
N-MOSFET
Version
ESD
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].