LEMONA

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 2W; SOT23 VISHAY

Produkta nr.: SQ2351ES-T1-GE3
Preces attēliem ir ilustratīva nozīme. Precīzas preces specifikācijas, lūdzam, skatīt aprakstā.
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-4
1.001.00
5-24
0.45
25-99
0.40
100-499
0.35
500+
0.35
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

1.00
2026-06-08 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2026-06-08 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

Ir697 gab.

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.

Vairāk par 50,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 50,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 2W; SOT23 VISHAY

Noderīga informācija


Specifikācijas

Artikuls
U-336407
Zīmols
NomNr
SQ2351ES-T1-GE3

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 2W; SOT23

Noderīga informācija

Piegādātāja preces parametri

Product code
SQ2351ES-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SQ2351ES-T1-GE3
Product ID
U-336407
Case
SOT23
Drain current
-1.8A
Drain-source voltage
-20V
Gate charge
5.5nC
Gate-source voltage
±12V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
0.115Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2W
Type of transistor
P-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].