LEMONA

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -10A; 2W; SOT23F; ESD TOSHIBA

Produkta nr.: SSM3J331R
Preces attēliem ir ilustratīva nozīme. Precīzas preces specifikācijas, lūdzam, skatīt aprakstā.
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-24
0.250.25
25-99
0.20
100-499
0.15
500-2999
0.15
3000+
0.15
B2B

Min. daudzums: 5

Daudzkārtīgums: 5

Kopā:

1.25
2026-02-04 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2026-02-04 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

Ir2670 gab.

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.

Vairāk par 50,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 50,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,49 - 3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.

2,50

Preces apraksts

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -10A; 2W; SOT23F; ESD TOSHIBA

Noderīga informācija


Specifikācijas

Artikuls
U-1884883
Zīmols
NomNr
SSM3J331R

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -10A; 2W; SOT23F; ESD

Noderīga informācija

Piegādātāja preces parametri

Product code
SSM3J331R
Supplier's product code
SSM3J331R
Product ID
U-1884883
Case
SOT23F
Drain current
-4A
Drain-source voltage
-20V
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tape
Manufacturer
TOSHIBA
Mounting
SMD
On-state resistance
0.15Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2W
Pulsed drain current
-10A
Type of transistor
P-MOSFET
Version
ESD
Brand
TOSHIBA
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].