Latvia

Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 20V; -10.4A; 3W YANGJIE TECHNOLOGY

Produkta nr.: YJS2022A-YAN
no gallery
no gallery

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-4
0.76
5-24
0.34
25-99
0.24
100-499
0.16
500+
0.15
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

0.76
2024-05-07 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-05-07 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

Ir11278 gab.

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 20V; -10.4A; 3W YANGJIE TECHNOLOGY

Noderīga informācija


Specifikācijas

Artikuls
U-2186835
NomNr
YJS2022A-YAN

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 20V; -10.4A; 3W

Noderīga informācija

Piegādātāja preces parametri

NomNr
YJS2022A-YAN
Supplier's product code
YJS2022A-YAN
Product ID
U-2186835
Case
SOP8
Drain current
-10.4A
Drain-source voltage
20V
Gate charge
72.8nC
Gate-source voltage
±10V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
YANGJIE TECHNOLOGY
Mounting
SMD
On-state resistance
26mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
3W
Pulsed drain current
-55A
Technology
TRENCH POWER MV
Type of transistor
P-MOSFET
Brand
YANGJIE TECHNOLOGY
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].