LEMONA

Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN TOSHIBA

Produkta nr.: GT50JR22
Preces attēliem ir ilustratīva nozīme. Precīzas preces specifikācijas, lūdzam, skatīt aprakstā.
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-9
8.658.65
10-24
5.85
25-99
5.15
100+
4.75
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

8.65
2025-12-09 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2025-12-09 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

Ir113 gab.

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.

Vairāk par 50,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 50,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.

2,50

Preces apraksts

Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN TOSHIBA

Noderīga informācija


Specifikācijas

Artikuls
U-199615
Zīmols
NomNr
GT50JR22

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN

Noderīga informācija

Piegādātāja preces parametri

Product code
GT50JR22
Brand
TOSHIBA
Supplier's product code
GT50JR22
Product ID
U-199615
Case
TO3PN
Collector current
44A
Collector-emitter voltage
600V
Features of semiconductor devices
integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage
±25V
Kind of package
tube
Manufacturer
TOSHIBA
Mounting
THT
Power dissipation
115W
Pulsed collector current
100A
Type of transistor
IGBT
Turn-off time
330ns
Turn-on time
250ns
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].