Piegādes termiņi
2025-12-16 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 35 gab. | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.
Vairāk par 50,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 50,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.
2,50
Preces apraksts
Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V NEXPERIA
Noderīga informācija
Specifikācijas
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
Product code
GAN041-650WSBQ
Brand
NEXPERIA
Supplier's product code
GAN041-650WSBQ
Product ID
U-2326713
Case
TO247
Drain current
33.4A
Drain-source voltage
650V
Gate charge
22nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of package
tube
Kind of transistor
cascode
Manufacturer
NEXPERIA
Mounting
THT
On-state resistance
35mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
187W
Pulsed drain current
240A
Technology
GaN
Type of transistor
N-JFET / N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].