Latvia

Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO3P STMicroelectronics

Produkta nr.: STGWT60H65DFB
no gallery
no gallery
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-2
8.23
3-9
7.42
10-29
6.55
30+
5.88
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

8.23
2024-05-09 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-05-09 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

Ir236 gab.

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO3P STMicroelectronics

Noderīga informācija


Specifikācijas

Artikuls
U-1923713
NomNr
STGWT60H65DFB

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO3P

Noderīga informācija

Piegādātāja preces parametri

NomNr
STGWT60H65DFB
Brand
STMicroelectronics
Supplier's product code
STGWT60H65DFB
Product ID
U-1923713
Case
TO3P
Collector current
60A
Collector-emitter voltage
650V
Features of semiconductor devices
integrated anti-parallel diode
Gate charge
306nC
Gate-emitter voltage
±20V
Kind of package
tube
Manufacturer
STMicroelectronics
Mounting
THT
Power dissipation
375W
Pulsed collector current
240A
Type of transistor
IGBT
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].