Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 51A; Idm: 161A; 362W MICROCHIP TECHNOLOGY
Produkta nr.: MSC031SMC120B4N
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.
Vairāk par 50,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 50,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.
2,50
Preces apraksts
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 51A; Idm: 161A; 362W MICROCHIP TECHNOLOGY
Specifikācijas
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 51A; Idm: 161A; 362W
Piegādātāja preces parametri
Product code
MSC031SMC120B4N
Brand
MICROCHIP
Supplier's product code
MSC031SMC120B4N
Product ID
U-4780196
Case
TO247-4-notch
Drain current
51A
Drain-source voltage
1.2kV
Family
SMC
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
70nC
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tube
Manufacturer
MICROCHIP TECHNOLOGY
Mounting
THT
On-state resistance
42mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
362W
Pulsed drain current
161A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].