LEMONA

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23 VISHAY

Produkta nr.: SI2366DS-T1-GE3
Preces attēliem ir ilustratīva nozīme. Precīzas preces specifikācijas, lūdzam, skatīt aprakstā.
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Atvainojamies, bet šīs preces vairs nav.

Mēs iesakām izvēlēties:

Citas preces šajā kategorijā

Piegādes termiņi

home delivery

Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.

Vairāk par 50,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 50,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.

2,50

Preces apraksts

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23 VISHAY

Specifikācijas

Artikuls
U-3825395
Zīmols
NomNr
SI2366DS-T1-GE3

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23

Piegādātāja preces parametri

Product code
SI2366DS-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI2366DS-T1-GE3
Product ID
U-3825395
Case
SOT23
Drain current
5.8A
Drain-source voltage
30V
Gate charge
10nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
36mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.3W
Pulsed drain current
20A
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].