Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 40A; Idm: 160A; 935W STMicroelectronics
Produkta nr.: SCTL90N65G2V
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
Jaunums! Saņemiet preces veikala pasta nodaļā – Krasta 105, Rīga
Jaunums! Saņemiet preces veikala pasta nodaļā – Krasta 105, Rīga Bezmaksas
Lūdzu, saņemiet savu preču sūtījumu, kad saņemsiet SMS. Pasūtījumi tiek glabāti LEMONA electronics pasta automātos 5 dienas.
Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.
Vairāk par 50,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 50,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 40A; Idm: 160A; 935W STMicroelectronics
Specifikācijas
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 40A; Idm: 160A; 935W
Piegādātāja preces parametri
Product code
SCTL90N65G2V
Brand
STMicroelectronics
Supplier's product code
SCTL90N65G2V
Product ID
U-3826347
Case
PowerFLAT 8x8
Drain current
40A
Drain-source voltage
650V
Gate charge
157nC
Gate-source voltage
-10...22V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tape
Manufacturer
STMicroelectronics
Mounting
SMD
On-state resistance
24mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
935W
Pulsed drain current
160A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].