Tranzistors IRF1010EPBF
Produkta nr.: IRF1010E
Piegādes termiņi
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (ieteicams)
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi (ieteicams)
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Specifikācijas
Artikuls | 78231 |
Svars | 0.001983 kg. |
Zīmols | INTERNATIONAL RECTIFIER |
Uzbūve | MOS-N-Ch |
NomNr | IRF1010E |
Strāva, A | 84 |
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Piegādātāja preces parametri
Kind of channel | enhanced |
Case | TO220AB |
Mounting | THT |
Drain current | 81A |
Drain-source voltage | 60V |
Kind of package | tube |
Gate-source voltage | ±20V |
Power dissipation | 170W |
Technology | HEXFET® |
Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
Type of transistor | N-MOSFET |
Gate charge | 86.6nC |
On-state resistance | 12mΩ |
Polarisation | unipolar |
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].