Diode: TVS; 3kW; 67.8V; 32A; bidirectional; ±5%; DO214AB MICROCHIP (MICROSEMI)
Produkta nr.: MSMLJ58CAE3
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Diode: TVS; 3kW; 67.8V; 32A; bidirectional; ±5%; DO214AB
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
Product code
MSMLJ58CAE3
Supplier's product code
MSMLJ58CAE3
Product ID
U-265777
Breakdown voltage
67.8V
Case
DO214AB
Leakage current
2µA
Manufacturer
MICROCHIP (MICROSEMI)
Max. forward impulse current
32A
Max. off-state voltage
58V
Mounting
SMD
Peak pulse power dissipation
3kW
Semiconductor structure
bidirectional
Type of diode
TVS
Tolerance
±5%
Brand
MICROCHIP
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
