Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; 159W; TO247-2 BASiC SEMICONDUCTOR
Produkta nr.: B2D20120H1
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-06-20 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 44 gab. | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Zīmols
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; 159W; TO247-2 BASiC SEMICONDUCTOR
Noderīga informācija
Specifikācijas
Piegādātāja prece apraksts
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; 159W; TO247-2
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
Product code
B2D20120H1
Brand
BASiC SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
B2D20120H1
Product ID
U-2709844
Case
TO247-2
Kind of package
tube
Leakage current
40µA
Load current
20A
Manufacturer
BASiC SEMICONDUCTOR
Max. forward impulse current
190A
Max. forward voltage
1.78V
Max. off-state voltage
1.2kV
Mounting
THT
Power dissipation
159W
Semiconductor structure
single diode
Technology
SiC
Type of diode
Schottky rectifying
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
