Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.8A; Idm: 25A; 171W; D2PAK ONSEMI
Produkta nr.: FQB8N90CTM
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-06-13 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Zīmols
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.8A; Idm: 25A; 171W; D2PAK ONSEMI
Specifikācijas
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.8A; Idm: 25A; 171W; D2PAK
Piegādātāja preces parametri
Product code
FQB8N90CTM
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
FQB8N90CTM
Product ID
U-2349525
Case
D2PAK
Drain current
3.8A
Drain-source voltage
900V
Gate charge
45nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
On-state resistance
1.9Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
171W
Pulsed drain current
25A
Technology
QFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
