Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W YANGJIE TECHNOLOGY
Produkta nr.: YJQ4666B-YAN
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-06-13 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 3220 gab. | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Zīmols
Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W YANGJIE TECHNOLOGY
Noderīga informācija
Specifikācijas
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
Product code
YJQ4666B-YAN
Brand
YANGJIE TECHNOLOGY
Supplier's product code
YJQ4666B-YAN
Product ID
U-222313
Case
DFN2020-6
Drain current
-5.6A
Drain-source voltage
-16V
Gate charge
7.2nC
Gate-source voltage
±10V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
YANGJIE TECHNOLOGY
Mounting
SMD
On-state resistance
60mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2.2W
Pulsed drain current
-28A
Technology
TRENCH POWER LV
Type of transistor
P-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
