Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W WAYON
Produkta nr.: WMJ80N65F2-CYG
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-06-19 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 141 gab. | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
Product code
WMJ80N65F2-CYG
Case
TO247-3
Drain current
45A
Drain-source voltage
650V
Gate charge
26.2nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
WAYON
Mounting
THT
On-state resistance
37mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
410W
Pulsed drain current
245A
Reverse recovery time
190ns
Technology
WMOS™ F2
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
WAYON
Supplier's product code
WMJ80N65F2-CYG
Product ID
U-384147
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
