Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 18.2A Qorvo (UnitedSiC)
Produkta nr.: UJ3C065080B3
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-06-20 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 1 gab. | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 18.2A Qorvo (UnitedSiC)
Noderīga informācija
Specifikācijas
Artikuls
U-368322
NomNr
UJ3C065080B3
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 18.2A
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
Product code
UJ3C065080B3
Case
D2PAK
Drain current
18.2A
Drain-source voltage
650V
Features of semiconductor devices
ESD protected gate
Gate charge
51nC
Gate-source voltage
±25V
Kind of transistor
cascode
Manufacturer
Qorvo (UnitedSiC)
Mounting
SMD
On-state resistance
80mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
115W
Pulsed drain current
65A
Technology
SiC
Type of transistor
N-JFET/N-MOSFET
Supplier's product code
UJ3C065080B3
Product ID
U-368322
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
