Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 66A INFINEON TECHNOLOGIES
Produkta nr.: IPDD60R102G7XTMA1
Piegādes termiņi
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 66A
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
Product code
IPDD60R102G7XTMA1
Brand
INFINEON
Supplier's product code
IPDD60R102G7XTMA1
Product ID
U-216921
Case
PG-HDSOP-10-1
Drain current
23A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
34nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
SMD
On-state resistance
0.102Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
139W
Pulsed drain current
66A
Technology
CoolMOS™ G7
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
