📦 Vairāk nekā 12 000 preču atradīsi mūsu veikalā - Krasta 105, Rīgā
Vairāk nekā 12 000 preču atradīsi mūsu veikalā - Krasta 105, Rīgā
LEMONA

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.1kV; 24A; Idm: 100A; 500W IXYS

Produkta nr.: MMIX1F40N110P
no gallery
no gallery
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-2
120.98
3-9
106.89
10-19
95.99
20+
89.61
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

120.98
2024-06-07 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-06-07 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

Ir20 gab.

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Zīmols
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.1kV; 24A; Idm: 100A; 500W IXYS

Noderīga informācija


Specifikācijas

Artikuls
U-261735
Zīmols
NomNr
MMIX1F40N110P

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.1kV; 24A; Idm: 100A; 500W

Noderīga informācija

Piegādātāja preces parametri

Product code
MMIX1F40N110P
Brand
IXYS
Supplier's product code
MMIX1F40N110P
Product ID
U-261735
Case
SMPD
Drain current
24A
Drain-source voltage
1.1kV
Gate charge
310nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
IXYS
Mounting
SMD
On-state resistance
0.29Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
500W
Pulsed drain current
100A
Reverse recovery time
300ns
Technology
HiPerFET™
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].