Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W GeneSiC SEMICONDUCTOR
Produkta nr.: G3R75MT12D
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-06-20 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 281 gab. | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W GeneSiC SEMICONDUCTOR
Noderīga informācija
Specifikācijas
Artikuls
U-2246897
NomNr
G3R75MT12D
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
Product code
G3R75MT12D
Product ID
U-2246897
Case
TO247-3
Drain current
29A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
54nC
Gate-source voltage
-5...15V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Mounting
THT
On-state resistance
75mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
207W
Pulsed drain current
80A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Supplier's product code
G3R75MT12D
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
