Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 100A; 405W WeEn Semiconductors
Produkta nr.: WNSC2M40120R6Q
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Zīmols
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 100A; 405W WeEn Semiconductors
Noderīga informācija
Specifikācijas
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 100A; 405W
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
Product code
WNSC2M40120R6Q
Case
TO247-4
Drain current
52A
Drain-source voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
19nC
Gate-source voltage
-12...22V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
WeEn Semiconductors
Mounting
THT
On-state resistance
55mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
405W
Pulsed drain current
100A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
WeEn Semiconductors
Supplier's product code
WNSC2M40120R6Q
Product ID
U-3092771
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
