Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W; TO247 INFINEON TECHNOLOGIES
Produkta nr.: IMW65R072M1HXKSA1
Piegādes termiņi
2024-06-20 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 25 gab. | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W; TO247
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
Product code
IMW65R072M1HXKSA1
Product ID
U-1876351
Case
TO247
Drain current
18A
Drain-source voltage
650V
Gate-source voltage
-5...23V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
THT
On-state resistance
94mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
96W
Pulsed drain current
69A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
INFINEON
Supplier's product code
IMW65R072M1HXKSA1
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
