Latvia

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 13.86A; Idm: 88A STMicroelectronics

Produkta nr.: STP32NM50N
no gallery
no gallery
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-4
5.70
5-24
5.13
25-99
4.52
100-499
4.07
500+
3.79
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

5.70
2024-05-16 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-05-16 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

NavNav

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 13.86A; Idm: 88A STMicroelectronics

Specifikācijas

Artikuls
U-3046777
NomNr
STP32NM50N

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 13.86A; Idm: 88A

Piegādātāja preces parametri

NomNr
STP32NM50N
Brand
STMicroelectronics
Supplier's product code
STP32NM50N
Product ID
U-3046777
Case
TO220-3
Drain current
13.86A
Drain-source voltage
500V
Gate charge
62.5nC
Gate-source voltage
±25V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
STMicroelectronics
Mounting
THT
On-state resistance
0.13Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
190W
Pulsed drain current
88A
Technology
MDmesh™ ||
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].