Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.63A; Idm: 2A; 0.15W; SC75A VISHAY
Produkta nr.: SI1012CR-T1-GE3
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-06-06 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 590 gab. | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.63A; Idm: 2A; 0.15W; SC75A
Piegādātāja preces parametri
Product code
SI1012CR-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI1012CR-T1-GE3
Product ID
U-3035173
Case
SC75A
Drain current
0.63A
Drain-source voltage
20V
Features of semiconductor devices
ESD protected gate
Gate charge
2nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
396mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.15W
Pulsed drain current
2A
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
