Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 28.2A; Idm: 80A VISHAY
Produkta nr.: SIS606BDN-T1-GE3
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 28.2A; Idm: 80A
Piegādātāja preces parametri
Product code
SIS606BDN-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIS606BDN-T1-GE3
Product ID
U-3046165
Case
PowerPAK® 1212-8
Drain current
28.2A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
30nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
20.5mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
33.3W
Pulsed drain current
80A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
