Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; Idm: 12A; 2W; SOP8 ROHM SEMICONDUCTOR
Produkta nr.: SH8K26GZ0TB
Piegādes termiņi
2024-06-07 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; Idm: 12A; 2W; SOP8
Piegādātāja preces parametri
Product code
SH8K26GZ0TB
Case
SOP8
Drain current
6A
Drain-source voltage
40V
Features of semiconductor devices
ESD protected gate
Gate charge
2.9nC
Gate-source voltage
±12V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ROHM SEMICONDUCTOR
Mounting
SMD
On-state resistance
50mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2W
Pulsed drain current
12A
Type of transistor
N-MOSFET x2
Brand
ROYAL OHM
Supplier's product code
SH8K26GZ0TB
Product ID
U-2966391
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
