Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -100A; Idm: -200A VISHAY
Produkta nr.: SI7155DP-T1-GE3
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-06-14 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -100A; Idm: -200A
Piegādātāja preces parametri
Product code
SI7155DP-T1-GE3
Case
PowerPAK® SO8
Drain current
-100A
Drain-source voltage
-40V
Gate charge
330nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
4.6mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
104W
Pulsed drain current
-200A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
P-MOSFET
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI7155DP-T1-GE3
Product ID
U-3822844
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
