📦 Vairāk nekā 12 000 preču atradīsi mūsu veikalā - Krasta 105, Rīgā
Vairāk nekā 12 000 preču atradīsi mūsu veikalā - Krasta 105, Rīgā
LEMONA

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -195A; 390W; 200ns IXYS

Produkta nr.: IXTR210P10T
no gallery
no gallery
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-2
50.97
3-9
45.08
10-29
40.51
30+
37.73
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

50.97
2024-06-04 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-06-04 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

Ir30 gab.

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Zīmols
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -195A; 390W; 200ns IXYS

Noderīga informācija


Specifikācijas

Artikuls
U-221817
Zīmols
NomNr
IXTR210P10T

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -195A; 390W; 200ns

Noderīga informācija

Piegādātāja preces parametri

NomNr
IXTR210P10T
Brand
IXYS
Supplier's product code
IXTR210P10T
Product ID
U-221817
Case
ISOPLUS247™
Drain current
-195A
Drain-source voltage
-100V
Gate charge
740nC
Gate-source voltage
±15V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
IXYS
Mounting
THT
On-state resistance
8mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
390W
Reverse recovery time
200ns
Technology
TrenchP™
Type of transistor
P-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].