Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3 ONSEMI
Produkta nr.: FDN352AP
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-06-13 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 4865 gab. | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Zīmols
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3 ONSEMI
Noderīga informācija
Specifikācijas
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
Product code
FDN352AP
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
FDN352AP
Product ID
U-187010
Case
SuperSOT-3
Drain current
-1.3A
Drain-source voltage
-30V
Features of semiconductor devices
logic level
Gate charge
1.9nC
Gate-source voltage
±25V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
On-state resistance
0.4Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.5W
Technology
PowerTrench®
Type of transistor
P-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
