Module: IGBT; diode/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; Ic: 125A IXYS
Produkta nr.: MKI100-12F8
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-23 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Module: IGBT; diode/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; Ic: 125A
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
NomNr
MKI100-12F8
Brand
IXYS
Supplier's product code
MKI100-12F8
Product ID
U-259881
Case
E3-Pack
Collector current
125A
Electrical mounting
Press-in PCB
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
IXYS
Max. off-state voltage
1.2kV
Mechanical mounting
screw
Power dissipation
640W
Pulsed collector current
200A
Semiconductor structure
diode/transistor
Technology
NPT
Type of module
IGBT
Topology
H-bridge
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
