Latvia

Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 76A; SOT227B IXYS

Produkta nr.: IXYN100N120B3H1
no gallery
no gallery
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-2
72.04
3-9
64.85
10+
57.34
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

72.04
2024-05-23 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-05-23 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

NavNav

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Zīmols
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 76A; SOT227B IXYS

Noderīga informācija


Specifikācijas

Artikuls
U-221257
Zīmols
NomNr
IXYN100N120B3H1

Piegādātāja prece apraksts

Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 76A; SOT227B

Noderīga informācija

Piegādātāja preces parametri

NomNr
IXYN100N120B3H1
Brand
IXYS
Supplier's product code
IXYN100N120B3H1
Product ID
U-221257
Case
SOT227B
Collector current
76A
Electrical mounting
screw
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
IXYS
Max. off-state voltage
1.2kV
Mechanical mounting
screw
Power dissipation
690W
Pulsed collector current
480A
Semiconductor structure
single transistor
Technology
GenX3™
Type of module
IGBT
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].