Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Produkta nr.: GD10PJY120L2S
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-29 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Specifikācijas
Artikuls
U-2964917
NomNr
GD10PJY120L2S
Piegādātāja prece apraksts
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
Piegādātāja preces parametri
Product code
GD10PJY120L2S
Case
L2.2
Collector current
10A
Electrical mounting
Press-in PCB
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Max. off-state voltage
1.2kV
Mechanical mounting
screw
Pulsed collector current
20A
Semiconductor structure
diode/transistor
Technology
Advanced Trench FS IGBT
Type of module
IGBT
Topology
three-phase diode bridge
Supplier's product code
GD10PJY120L2S
Product ID
U-2964917
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
