Module; single transistor; 1.2kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 60A IXYS
Produkta nr.: IXFN26N120P
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-16 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 7 gab. | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Module; single transistor; 1.2kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 60A
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
NomNr
IXFN26N120P
Brand
IXYS
Supplier's product code
IXFN26N120P
Product ID
U-220742
Case
SOT227B
Drain current
23A
Drain-source voltage
1.2kV
Electrical mounting
screw
Gate charge
255nC
Gate-source voltage
±40V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
IXYS
Mechanical mounting
screw
On-state resistance
0.5Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
695W
Pulsed drain current
60A
Reverse recovery time
300ns
Semiconductor structure
single transistor
Technology
HiPerFET™
Type of module
MOSFET transistor
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
