Latvia

Module; single transistor; 100V; 590A; Y3-DCB; Idm: 2.36kA; 2.2kW IXYS

Produkta nr.: VMO550-01F
no gallery
no gallery
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1
905.45
2-3
800.25
4+
719.48
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

905.45
2024-05-15 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-05-15 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

NavNav

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Zīmols
Module; single transistor; 100V; 590A; Y3-DCB; Idm: 2.36kA; 2.2kW IXYS

Noderīga informācija


Specifikācijas

Artikuls
U-375801
Zīmols
NomNr
VMO550-01F

Piegādātāja prece apraksts

Module; single transistor; 100V; 590A; Y3-DCB; Idm: 2.36kA; 2.2kW

Noderīga informācija

Piegādātāja preces parametri

NomNr
VMO550-01F
Brand
IXYS
Supplier's product code
VMO550-01F
Product ID
U-375801
Case
Y3-DCB
Drain current
590A
Drain-source voltage
100V
Electrical mounting
screw
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
2µC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
IXYS
Mechanical mounting
screw
On-state resistance
2.1mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2.2kW
Pulsed drain current
2.36kA
Reverse recovery time
300ns
Semiconductor structure
single transistor
Technology
HiPerFET™
Type of module
MOSFET transistor
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].