Latvia

MOSFET,N CH,DIODE,100V,60A,PPAKSO8

Produkta nr.: SIR882DP-T1-GE3
no gallery
no gallery
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-9
3.66
10-99
2.70
100-499
1.99
500-999
1.80
1000+
1.94
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

3.66
2024-05-23 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-05-23 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

NavNav

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Zīmols
MOSFET,N CH,DIODE,100V,60A,PPAKSO8

Specifikācijas

Artikuls
U-745025
Zīmols
NomNr
SIR882DP-T1-GE3

Piegādātāja prece apraksts

MOSFET,N CH,DIODE,100V,60A,PPAKSO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0071ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.2V

Piegādātāja preces parametri

Product code
SIR882DP-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
1859000
Product ID
U-745025
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].