Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W INFINEON TECHNOLOGIES
Produkta nr.: IAUS165N08S5N029
Piegādes termiņi
2024-05-15 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
Product code
IAUS165N08S5N029
Brand
INFINEON
Supplier's product code
IAUS165N08S5N029
Product ID
U-213902
Case
PG-HSOG-8
Drain current
165A
Drain-source voltage
80V
Gate charge
31nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
SMD
On-state resistance
2.9mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
167W
Pulsed drain current
660A
Technology
OptiMOS™ 5
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
