Latvia

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 7W; PG-SOT223 INFINEON TECHNOLOGIES

Produkta nr.: IPN60R600P7S
no gallery
no gallery
INFINEON
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-4
1.13
5-24
0.65
25-99
0.57
100-499
0.52
500+
0.47
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

1.13
2024-05-23 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-05-23 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

NavNav

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

INFINEON
Zīmols
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 7W; PG-SOT223 INFINEON TECHNOLOGIES

Noderīga informācija


Specifikācijas

Artikuls
U-217018
Zīmols
NomNr
IPN60R600P7S

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 7W; PG-SOT223

Noderīga informācija

Piegādātāja preces parametri

Product code
IPN60R600P7S
Brand
INFINEON
Supplier's product code
IPN60R600P7S
Product ID
U-217018
Case
PG-SOT223
Drain current
4A
Drain-source voltage
600V
Features of semiconductor devices
ESD protected gate
Gate charge
9nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
SMD
On-state resistance
0.6Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
7W
Technology
CoolMOS™ P7
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].