Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO220AB ONSEMI
Produkta nr.: FCP067N65S3
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-29 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Zīmols
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO220AB ONSEMI
Specifikācijas
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO220AB
Piegādātāja preces parametri
Product code
FCP067N65S3
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
FCP067N65S3
Product ID
U-2349821
Case
TO220AB
Drain current
28A
Drain-source voltage
650V
Gate charge
78nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
THT
On-state resistance
67mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
312W
Pulsed drain current
110A
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
