Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; Idm: 12A; 107W; TO220AB ONSEMI
Produkta nr.: FQP3N80C
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-23 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Zīmols
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; Idm: 12A; 107W; TO220AB ONSEMI
Specifikācijas
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; Idm: 12A; 107W; TO220AB
Piegādātāja preces parametri
Case
TO220AB
Drain current
1.9A
Drain-source voltage
800V
Gate charge
16.5nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
THT
On-state resistance
4.8Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
107W
Pulsed drain current
12A
Type of transistor
N-MOSFET
Product code
FQP3N80C
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
FQP3N80C
Product ID
U-2349576
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
