Latvia

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251S2 WAYON

Produkta nr.: WMH04N65C2-CYG
no gallery
no gallery
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-4
0.80
5-24
0.49
25-99
0.42
100-249
0.40
250+
0.38
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

0.80
2024-05-22 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-05-22 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

NavNav

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Zīmols
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251S2 WAYON

Specifikācijas

Artikuls
U-384123
Zīmols
NomNr
WMH04N65C2-CYG

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251S2

Piegādātāja preces parametri

NomNr
WMH04N65C2-CYG
Brand
WAYON
Supplier's product code
WMH04N65C2-CYG
Product ID
U-384123
Case
TO251S2
Drain current
3A
Drain-source voltage
650V
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
WAYON
Mounting
THT
On-state resistance
1.9Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
29W
Technology
WMOS™ C2
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].