Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 46A; 543W; T-Max MICROCHIP (MICROSEMI)
Produkta nr.: APT35GP120B2D2G
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-23 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 46A; 543W; T-Max
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
Product code
APT35GP120B2D2G
Brand
MICROCHIP
Supplier's product code
APT35GP120B2D2G
Product ID
U-1869370
Case
T-Max
Collector current
46A
Collector-emitter voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
integrated anti-parallel diode
Gate charge
150nC
Gate-emitter voltage
±30V
Kind of package
tube
Manufacturer
MICROCHIP (MICROSEMI)
Mounting
THT
Power dissipation
543W
Pulsed collector current
140A
Technology
POWER MOS 7®
Type of transistor
IGBT
Turn-off time
0.22µs
Turn-on time
36ns
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
