Latvia

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; Idm: 7.6A; 2W NEXPERIA

Produkta nr.: PMV213SN.215
no gallery
no gallery
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-24
0.44
25-99
0.41
100-499
0.37
500-2999
0.33
3000+
0.31
B2B

Min. daudzums: 5

Daudzkārtīgums: 5

Kopā:

2.20
2024-05-17 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-05-17 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

Ir4854 gab.

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Zīmols
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; Idm: 7.6A; 2W NEXPERIA

Specifikācijas

Artikuls
U-2594800
Zīmols
NomNr
PMV213SN.215

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; Idm: 7.6A; 2W

Piegādātāja preces parametri

NomNr
PMV213SN.215
Brand
NEXPERIA
Supplier's product code
PMV213SN.215
Product ID
U-2594800
Case
SOT23
Drain current
1.2A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
7nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
NEXPERIA
Mounting
SMD
On-state resistance
575mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2W
Pulsed drain current
7.6A
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].