Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 160mA; Idm: 560A; 200mW; SOT523 DIODES INCORPORATED
Produkta nr.: DMN55D0UTQ-7
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-16 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Zīmols
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 160mA; Idm: 560A; 200mW; SOT523 DIODES INCORPORATED
Specifikācijas
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 160mA; Idm: 560A; 200mW; SOT523
Piegādātāja preces parametri
NomNr
DMN55D0UTQ-7
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMN55D0UTQ-7
Product ID
U-2591462
Application
automotive industry
Case
SOT523
Drain current
0.16A
Drain-source voltage
50V
Gate charge
295nC
Gate-source voltage
±12V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
5Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.2W
Pulsed drain current
560A
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
