Latvia

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; Idm: 6A; 700mW DIODES INCORPORATED

Produkta nr.: DMN2501UFB4-7
no gallery
no gallery
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-24
0.23
25-99
0.16
100-499
0.15
500-2999
0.12
3000+
0.11
B2B

Min. daudzums: 5

Daudzkārtīgums: 5

Kopā:

1.15
2024-05-23 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-05-23 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

NavNav

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; Idm: 6A; 700mW DIODES INCORPORATED

Specifikācijas

Artikuls
U-2876122
NomNr
DMN2501UFB4-7

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; Idm: 6A; 700mW

Piegādātāja preces parametri

NomNr
DMN2501UFB4-7
Product ID
U-2876122
Case
X2-DFN1006-3
Drain current
1.4A
Drain-source voltage
20V
Gate charge
2nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
0.7Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.7W
Pulsed drain current
6A
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMN2501UFB4-7
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].