Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 60A; 1.1W; SO8 DIODES INCORPORATED
Produkta nr.: DMN3018SSS-13
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-23 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Zīmols
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 60A; 1.1W; SO8 DIODES INCORPORATED
Specifikācijas
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 60A; 1.1W; SO8
Piegādātāja preces parametri
NomNr
DMN3018SSS-13
Product ID
U-2876144
Case
SO8
Drain current
5.8A
Drain-source voltage
30V
Gate charge
13.2nC
Gate-source voltage
±25V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
35mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.1W
Pulsed drain current
60A
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMN3018SSS-13
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
