Latvia

Transistor: N-MOSFET; IntelliFET™; unipolar; 60V; 2.8A; 1W; SOT223 DIODES INCORPORATED

Produkta nr.: ZXMS6006SGTA
no gallery
no gallery
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-4
1.44
5-24
1.29
25-99
1.14
100-249
1.03
250+
0.96
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

1.44
2024-05-16 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-05-16 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

NavNav

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Transistor: N-MOSFET; IntelliFET™; unipolar; 60V; 2.8A; 1W; SOT223 DIODES INCORPORATED

Noderīga informācija


Specifikācijas

Artikuls
U-392280
NomNr
ZXMS6006SGTA

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: N-MOSFET; IntelliFET™; unipolar; 60V; 2.8A; 1W; SOT223

Noderīga informācija

Piegādātāja preces parametri

NomNr
ZXMS6006SGTA
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
ZXMS6006SGTA
Product ID
U-392280
Case
SOT223
Drain current
2.8A
Drain-source voltage
60V
Features of semiconductor devices
ESD protected gate
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
0.1Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1W
Technology
IntelliFET™
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].