Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A MICROCHIP (MICROSEMI)
Produkta nr.: APT10M19BVRG
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-13 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-2 d.d., ja prece ir noliktavā)
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-2 d.d., ja prece ir noliktavā)
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi (1-2 d.d., ja prece ir noliktavā)
Piegāde uz DPD Paku skapi (1-2 d.d., ja prece ir noliktavā)
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
Brand
MICROCHIP
Supplier's product code
APT10M19BVRG
Product ID
U-1905727
Case
TO247-3
Drain current
75A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
300nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
MICROCHIP (MICROSEMI)
Mounting
THT
On-state resistance
19mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
370W
Pulsed drain current
300A
Technology
POWER MOS 5®
Type of transistor
N-MOSFET
Product code
APT10M19BVRG
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
