Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W NEXPERIA
Produkta nr.: NSF080120L3A0Q
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-23 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 29 gab. | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
NomNr
NSF080120L3A0Q
Product ID
U-3792417
Case
TO247-3
Drain current
25A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
52nC
Gate-source voltage
-10...22V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
NEXPERIA
Mounting
THT
On-state resistance
0.12Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
183W
Pulsed drain current
80A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
NEXPERIA
Supplier's product code
NSF080120L3A0Q
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
