Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 90A; 200W MICROCHIP (MICROSEMI)
Produkta nr.: MSC080SMA120B4
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-16 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 35 gab. | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 90A; 200W
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
Product code
MSC080SMA120B4
Brand
MICROCHIP
Supplier's product code
MSC080SMA120B4
Product ID
U-1906009
Case
TO247-4
Drain current
26A
Drain-source voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
64nC
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
MICROCHIP (MICROSEMI)
Mounting
THT
On-state resistance
0.1Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
200W
Pulsed drain current
90A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
